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          Transphorm與偉詮電子合作推出氮化鎵系統級封裝器件,支持多功率等級,為客戶創造競爭優勢

          2023-12-29 09:06:59 來源:EETOP

          全球領先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)與適配器USB-C PD控制器集成電路的全球領導者Weltrend Semiconductor Inc.(偉詮電子,TWSE:2436)宣布合作推出100瓦USB-C PD電源適配器參考設計。該參考設計電路采用兩家公司合作開發的系統級封裝(SiP)SuperGaN?電源控制芯片WT7162RHUG24A,在準諧振反激式(QRF)拓撲中可實現92.2%的效率。

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          該參考設計是偉詮電子推出的第二款使用WT7162RHUG24A的QRF拓撲USB-C PD適配器控制板。在今年早些時候,偉詮電子發布了65瓦的適配器控制電路。兩款適配器控制板采用同一個SuperGaN SiP,與競爭方案相比,客戶能夠以更優的成本實現100瓦產品設計,從而實現規模效益。這也表明,65瓦功率級SuperGaN SiP同樣滿足100瓦功率級設計的性能和散熱要求。

           

          Transphorm業務發展及市場營銷高級副總裁 Philip Zuk 表示:“基于氮化鎵的集成電路可以簡化設計,這個想法很棒,但必須“做到集成”,必須是封裝內置有必需的控制器的單一集成器件。這正是偉詮電子和Transphorm的SuperGaN SiP的優勢所在。我們推出的系統級封裝是簡單的常閉型解決方案,無需保護電路、驅動器或外部控制器。除此之外,同一顆SiP還適用于65瓦和100瓦的電源適配器。具備了這些亮點的產品和方案,才真正展示出氮化鎵所固有的全面的性能優勢和穩健特性。目前,只有Transphorm的SuperGaN平臺能夠實現?!?/span>

           

          偉詮電子市場營銷副總裁Wayne Lo指出:“偉詮電子在AC-DC電源市場的市占率正不斷增長,確保為市場提供最好、最實用的解決方案,對我們來說最為重要。目前,利用氮化鎵材料極具吸引力的諸多性能優勢,電源適配器市場在不斷創新迭代,偉詮電子要做的就是確??蛻裟軌蚴芤嬗诘壍倪@些優勢——不僅在技術上受益,而且能獲得更好、更全面的投資回報(ROI)。一顆SiP,既滿足適配器物理設計要求,同時又適用于整個適配器系列的不同型號,這是偉詮電子、Transphorm以及客戶的多方共贏。這款新發布的100瓦參考設計方案,有力地證明了我們的技術在低價位市場同樣具有競爭力,而這只是起步,未來可期?!?/span>

           

          100瓦適配器參考設計規格

          偉詮電子的通用型100瓦電源適配器驗證板按照USB PD 3.0 + PPS 標準設計,用于更快地開發為智能手機、平板電腦、筆記本電腦和其它智能設備充電的各種扁平高性能電源適配器。主要技術規格如下:

           

          Specification規格

          Detail詳情

          GaN Device

          氮化鎵器件

          WT7162RHUG24A SuperGaN SiP

          Topology

          拓撲

          Boundary Mode PFC + Flyback Quasi-Resonant Mode/Valley-Switching Multi-mode Operation

          零界模式  PFC + 反激準諧振模式 /谷底開關多模操作

          Full Load Efficiency

          滿載效率

          91.2% @ 90 VAC/Full Load

          91.2% @ 90 VAC/滿載

          Overall Peak Efficiency

          整機峰值效率

          92.7% @ 264VAC/Full Load 

          92.7% @ 264VAC/滿載

          Power Density

          功率密度

          15.8 W/in3 (w/o housing)

          15.8 W/in3(無外殼)

          Output Voltage Operation

          輸出電壓協議

          USB-C PD 3.0, PPS 3.3 V - 21 V

          No Load Power Loss

          空載損耗

          < 50 mW @ 264 VAC

          < 50 mW(@ 264 VAC)

          Output Voltage and Current

          輸出電壓和輸出電流

          PPS: 3.3 V – 21 V/5 A
          5 V/3 A; 9 V/3 A; 12 V/3 A; 15 V/3 A; 20 V/5 A

          EMI Compliant

          電磁兼容

          Conducted and Radiated

          傳導和輻射

          Dimensions

          外形尺寸

          69mm x 63mm x 23.8mm

           

          SuperGaN SiP:結構緊湊、成本效益高、加速產品開發

          WT7162RHUG24A是一款真正的集成電路,專為應用于45至100瓦USB-C PD電源適配器而設計。該器件集成了Weltrend的WT7162RHSG08準諧振/多模反激式PWM控制器和Transphorm的240 毫歐姆、650 V SuperGaN? FET。該SiP IC是24引腳8x8 QFN封裝的表面貼裝器件,可實現92.2%的峰值效率。主要優勢包括更高的功率密度和更好的散熱性能,因此,具有更長期的可靠性,且降低BOM物料成本。如需了解更多信息,請訪問:https://transphormusa.cn/en/document/weltsipbd/

           

           

          供貨情況

          如需索取演示板和/或SiP樣品,請聯系Weltrend銷售團隊:sales@weltrend.com.tw


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