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          臺積電規劃萬億級晶體管芯片

          2023-12-28 11:18:06 來源:EETOP

          在IEDM 會議上,臺積電制定了提供包含 1 萬億個晶體管的芯片封裝的路線圖,就像英特爾去年透露的那樣。這些龐然大物將來自于單個芯片封裝上的 3D 封裝小芯片集合,但臺積電也在致力于開發在單片硅片上集成 2000 億個晶體管的芯片。為了實現這一目標,該公司重申正在致力于 2 納米級 N2 和 N2P 生產節點以及 1.4 納米級 A14 和 1 納米級 A10 制造工藝,預計將于 2030 年完成。

          此外,臺積電預計封裝技術(CoWoS、InFO、SoIC 等)將取得進步,使其能夠在 2030 年左右構建封裝超過一萬億個晶體管的大規模多芯片解決方案。

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          IEDM 會議上的臺積電PPT預見了封裝技術的進步。(圖片來源:臺積電

          近年來,由于芯片制造商面臨技術和財務挑戰,尖端工藝技術的發展有所放緩。臺積電面臨著與其他公司相同的挑戰,但這家全球最大的晶圓代工廠有信心,隨著臺積電推出其 2nm、1.4nm  1nm 節點,它將能夠在未來五六年內在性能、功率和晶體管密度方面提升其生產節點。

          Nvidia 800 億個晶體管 GH100 是市場上最復雜的單片處理器之一,根據臺積電的說法,很快就會有更復雜的單片芯片,擁有超過 1000 億個晶體管。但構建如此大型的處理器變得越來越復雜和昂貴,因此許多公司選擇多芯片設計。例如,AMD  Instinct MI300X 英特爾 Ponte Vecchio 由數十個小芯片組成。

          臺積電稱,這種趨勢將持續下去,幾年后,我們將看到由超過一萬億個晶體管組成的多芯片解決方案。但與此同時,單片芯片將繼續變得復雜,根據臺積電 IEDM 上的演講之一,我們將看到擁有多達 2000 億個晶體管的單片處理器。 

          臺積電及其客戶必須同步開發邏輯技術和封裝技術,前者為后者提供密度改進,這就是為什么該公司將生產節點的演變和封裝技術都包含在同一張幻燈片上的原因。


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